MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,4 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 829-4433
Codice costruttore:: STP5N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,4 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

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25 - 45	1,294 €	6,47 €
50 - 120	1,164 €	5,82 €
125 - 245	1,048 €	5,24 €
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Codice RS:: 829-4433
Codice costruttore:: STP5N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

STD5N60M2, STP5N60M2, STU5N60M2, N-Channel 600V, 1.26 Ohm typ., 3.5A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	MDmesh M2
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Lunghezza	10.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	8,5 nC a 10 V
Larghezza	4.6mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	15.75mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,4 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics

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