MOSFET Vishay, canale N, 200 mΩ, 7,7 A, IPAK (TO-251), Su foro
- Codice RS:
- 178-0910
- Codice costruttore:
- IRLU014PBF
- Costruttore:
- Vishay
150 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 75)
0,679 €
(IVA esclusa)
0,828 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 75 - 75 | 0,679 € | 50,925 € |
| 150 - 300 | 0,577 € | 43,275 € |
| 375 + | 0,509 € | 38,175 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 178-0910
- Codice costruttore:
- IRLU014PBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 7,7 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | IPAK (TO-251) |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 200 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 2,5 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -10 V, +10 V |
| Larghezza | 2.39mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Materiale del transistor | Si |
| Lunghezza | 6.73mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 8,4 nC a 5 V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 6.22mm |
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