2 MOSFET Vishay Siliconix Duale, canale Tipo N, Tipo P, 30 mΩ, 30 A 40 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3893
Codice costruttore:
SQJ504EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.07mm

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.99mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN

vishay


Il MOSFET a doppio canale a montaggio superficiale Vishay (sia con canali N che P) è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 40V. Ha una resistenza drain-source di 17mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 34W e una corrente di drain continua di 30A. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità. È applicabile nel settore automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.

MOSFET di potenza TrenchFET •

Certificazioni


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• bs en 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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