MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 22 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2135,00 €

(IVA esclusa)

2605,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 5000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,854 €2.135,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
178-4231
Codice costruttore:
FDD86250-F085
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

FDD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.25V

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Gate schermato a canale N PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Tipico RDS(on) = 19,4 mΩ a VGS = 10 V, ID = 20 A

Tipico Qg(tot) = 28 nC a VGS = 10 V, ID = 40 A

Funzionalità UIS

Applicazioni:

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Architetture di alimentazione distribuita e VRM

Interruttore principale per sistemi a 12 V

Prodotti finali:

Motorino di avviamento/alternatore integrato

Link consigliati