MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 22 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD86250-F085

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4442
Codice costruttore:
FDD86250-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

FDD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.25V

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Gate schermato a canale N PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Tipico RDS(on) = 19,4 mΩ a VGS = 10 V, ID = 20 A

Tipico Qg(tot) = 28 nC a VGS = 10 V, ID = 40 A

Funzionalità UIS

Applicazioni:

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Architetture di alimentazione distribuita e VRM

Interruttore principale per sistemi a 12 V

Prodotti finali:

Motorino di avviamento/alternatore integrato

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