MOSFET di potenza onsemi, canale Tipo N 650 V, 165 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 178-4243
- Codice costruttore:
- FCP165N65S3
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
105,70 €
(IVA esclusa)
128,95 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,114 € | 105,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4243
- Codice costruttore:
- FCP165N65S3
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 165mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 154W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.7 mm | |
| Altezza | 16.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free, Halide Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 165mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 154W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.7 mm | ||
Altezza 16.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free, Halide Free | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter