Codice costruttore

MOSFET di potenza onsemi, canale Tipo N 650 V, 165 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCP165N65S3

Codice RS:: 178-4676
Codice costruttore:: FCP165N65S3
Costruttore:: onsemi

MOSFET di potenza onsemi, canale Tipo N 650 V, 165 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCP165N65S3

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Codice RS:: 178-4676
Codice costruttore:: FCP165N65S3
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	SUPERFET III
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	165mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	154W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	39nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	16.3mm
	Larghezza	4.7mm
	Standard/Approvazioni	RoHS, Pb-Free, Halide Free
	Lunghezza	10.67mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 19A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-220
	Serie SUPERFET III
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 165mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 154W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 16.3mm
	Larghezza 4.7mm
	Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free, Halide Free
	Lunghezza 10.67mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)

Internal Gate Resistance: 4.6 Ω

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 140 mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Consumer

Industrial

End Products:

Notebook / Desktop computer

Game Console

Telecom / Server

LCD / LED TV

LED Lighting / Ballast

Adapter

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