MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 825 mΩ Miglioramento, 540 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS670S2LH6327XTSA1

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Codice RS:
178-7474
Codice costruttore:
BSS670S2LH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

540mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

825mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.3 mm

Lunghezza

2.9mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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