MOSFET Infineon, canale N 55 V, 825 mΩ Miglioramento, 540 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS670S2LH6327XTSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

150,00 €

(IVA esclusa)

180,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 9000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,05 €150,00 €
6000 +0,047 €141,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
178-7474
Codice costruttore:
BSS670S2LH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

540mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

825mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

800mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.3mm

Lunghezza

2.9mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione di sorgente di drenaggio 55 V, corrente di drenaggio continua 540 mA - BSS670S2LH6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N a piccolo segnale progettato per la commutazione a montaggio superficiale in sistemi elettronici compatti. È progettato per applicazioni che richiedono una commutazione controllata in modalità di potenziamento con tensioni e correnti nominali moderate ed è qualificato per ambienti automobilistici.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tolleranza di drenaggio di 55 V consente circuiti di commutazione a tensione più elevata
• Il basso valore di RDS(on) di 825 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione nei percorsi a bassa corrente
• La corrente di drenaggio continua di 540 mA supporta carichi a stato stazionario
• La carica gate tipica di 1,7 nC consente una commutazione efficiente ad alta velocità
• La dissipazione di potenza di 360 mW si adatta a budget termici modesti
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C si adatta ad ambienti ad ampia temperatura

Applicazioni


• Adatto per la commutazione dell'interfaccia sensore automotive
• Ideale per la commutazione del carico CC in moduli compatti
• Utilizzato con circuiti ausiliari di gestione della batteria
• Può essere utilizzato per i driver gate nei convertitori a bassa potenza
• Utilizzato per la commutazione del livello del segnale su schede a segnale misto

Quali considerazioni di montaggio si applicano ai contenitori di piccole dimensioni?


Il dispositivo è fornito in un contenitore SOT-23 a tre pin progettato per il montaggio in superficie, pertanto è necessario pianificare il rilievo termico del modello di terra e i filetti di saldatura per gestire la sua dissipazione di 360 mW.

In che modo l'azionamento del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?


L'azionamento del gate fino a 20 V aumenta il margine di conduzione, mentre la carica del gate di 1,7 nC determina la corrente di pilotaggio richiesta per i tempi di salita/discesa desiderati.

Qual è il comportamento del dispositivo sotto carico continuo?


Può trasportare fino a 540 mA in modo continuo, a condizione che i vincoli termici siano rispettati e che le condizioni ambientali consentano un trasferimento di calore sufficiente.

Questo componente è adatto alle esigenze di qualificazione automobilistica?


Soddisfa i requisiti AEC‐Q101, il che lo rende adatto per le applicazioni elettroniche automobilistiche che richiedono tale standard.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.