MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 0.54 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS670S2LH6433XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0560
Codice costruttore:
BSS670S2LH6433XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

BSS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon realizza questo convertitore buck serie OptiMOS in modalità di potenziamento a canale N. È classificato anti effetto valanga e senza alogeni.

VDS è di 55 V, Rds(on) è di 650 mΩ e Id è di 0,54 A

Senza alogeni

La dissipazione di potenza massima è di 360 mW

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