MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 26 mΩ Miglioramento, 16 A, 6 Pin, MICRO FOOT, Superficie

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Codice RS:
180-7326
Codice costruttore:
SI8483DB-T2-E1
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

MICRO FOOT

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

13W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.5mm

Altezza

0.59mm

Larghezza

1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a doppio canale N TrenchFET serie Si8483DB Vishay Siliconix è dotato di tensione drain-source di 12 V. Si tratta della massima dissipazione di potenza di 13 W e viene utilizzata principalmente in interruttori di distribuzione di carico in dispositivi portatili.

Bassa caduta di tensione

Basso consumo energetico

Maggiore durata della batteria

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