MOSFET Vishay, canale Tipo N 8 V, 54 mΩ Miglioramento, 3.5 A, 4 Pin, MICRO FOOT, Superficie SI8802DB-T2-E1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7724
Codice costruttore:
SI8802DB-T2-E1
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

8V

Tipo di package

MICRO FOOT

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

54mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.3nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

5 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N TrenchFET serie SI8802DB Vishay Siliconix è dotato di tensione drain-source di 8 V. Si tratta della massima dissipazione di potenza di 0,9 W e viene utilizzato principalmente in un interruttore di distribuzione di carico con bassa caduta di tensione.

Bassa resistenza in stato attivo

Senza alogeni

Senza piombo

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