MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 26 mΩ Miglioramento, 16 A, 6 Pin, MICRO FOOT, Superficie SI8483DB-T2-E1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

9,20 €

(IVA esclusa)

11,225 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 2250,368 €9,20 €
250 - 6000,35 €8,75 €
625 - 12250,266 €6,65 €
1250 - 24750,24 €6,00 €
2500 +0,202 €5,05 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7932
Codice costruttore:
SI8483DB-T2-E1
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

MICRO FOOT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

13W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.59mm

Larghezza

1 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a doppio canale N TrenchFET serie Si8483DB Vishay Siliconix è dotato di tensione drain-source di 12 V. Si tratta della massima dissipazione di potenza di 13 W e viene utilizzata principalmente in interruttori di distribuzione di carico in dispositivi portatili.

Bassa caduta di tensione

Basso consumo energetico

Maggiore durata della batteria

Link consigliati