MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 36 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
180-7398
Codice costruttore:
SQ2318AES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

2.64 mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 31mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3W e corrente di drain continua di 8A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è di 4,5 V e 10V rispettivamente. È dotato di un'applicazione negli interruttori di carico per dispositivi portatili. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato

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