1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.28 Ω, 7.9 A 250 V, TO-220FP
- Codice RS:
- 180-8661
- Codice costruttore:
- IRFI644GPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8661
- Codice costruttore:
- IRFI644GPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.28Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 68nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Distrelec Product Id | 304-30-844 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.28Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 68nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
Distrelec Product Id 304-30-844 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-220-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 250V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 77mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 48W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• valore nominale DV/dt dinamico
Contenitore isolato da •
• componente senza piombo (Pb)
Bassa resistenza termica •
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
• la distanza di dispersione tra sink e conduttore è 4,8 mm
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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