1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.28 Ω, 11 A 60 V, TO-263, Superficie

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Codice RS:
180-8832
Codice costruttore:
IRF9Z24SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.28Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

10.67 mm

Lunghezza

2.79mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay IRF9Z24S è un MOSFET di potenza a canale P con tensione drain-source (Vds) di -60V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. È dotato di contenitore D2PAK (TO-263). Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,28 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain -11A.

Advanced Process Technology

Per montaggio superficiale

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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