1 MOSFET di potenza TrenchFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.0067 Ω, 120 A 60 V, TO-263, 3 Pin SQM120P06-07L_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7921
Codice costruttore:
SQM120P06-07L_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQM

Tipo di package

TO-263

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0067Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

0.625in

Altezza

0.19in

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Larghezza

0.41 in

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 6,7 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

Contenitore da • a bassa resistenza termica

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• interruttori di carico

• PC notebook

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