1 MOSFET di potenza TrenchFET Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.0067 Ω, 120 A 60 V, TO-263, 3 Pin
- Codice RS:
- 180-7405
- Codice costruttore:
- SQM120P06-07L_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1363,20 €
(IVA esclusa)
1663,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1600 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,704 € | 1.363,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7405
- Codice costruttore:
- SQM120P06-07L_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza TrenchFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | SQM | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0067Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 270nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 0.41 in | |
| Altezza | 0.19in | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Lunghezza | 0.625in | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza TrenchFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie SQM | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0067Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 270nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 0.41 in | ||
Altezza 0.19in | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Lunghezza 0.625in | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale P di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 6,7 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 375W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
Contenitore da • a bassa resistenza termica
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• interruttori adattatori
• interruttori di carico
• PC notebook
Link consigliati
- 1 MOSFET di potenza TrenchFET Vishay Singolo 0.0067 Ω TO-263, 3 Pin SQM120P06-07L_GE3
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB120P04P404ATMA2
- MOSFET Infineon 3.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB120P04P4L03ATMA2
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.6 Ω TO-263, Superficie
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.28 Ω TO-263, Superficie
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.6 Ω TO-263, Superficie IRF9520SPBF