1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.6 Ω, 6.8 A 100 V, TO-263, Superficie IRF9520SPBF
- Codice RS:
- 180-8308
- Codice costruttore:
- IRF9520SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,607 € | 80,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8308
- Codice costruttore:
- IRF9520SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.6Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Lunghezza | 9.65mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.6Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Lunghezza 9.65mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 100V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 600mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 60W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• disponibile in nastro e bobina
• valore nominale DV/dt dinamico
Commutazione rapida •
• Senza alogeni
• componente senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
Valore nominale a valanga ripetitivo di •
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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