1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo P, 0.28 Ω, 11 A 60 V, TO-263, Superficie IRF9Z24SPBF
- Codice RS:
- 180-8310
- Codice costruttore:
- IRF9Z24SPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
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- Codice costruttore:
- IRF9Z24SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.28Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 2.79mm | |
| Larghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.28Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 2.79mm | ||
Larghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay IRF9Z24S è un MOSFET di potenza a canale P con tensione drain-source (Vds) di -60V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. È dotato di contenitore D2PAK (TO-263). Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,28 ohm a 10VGS. Massima corrente di drain -11A.
Advanced Process Technology
Per montaggio superficiale
Temperatura d'esercizio: 175 °C
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