MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.52 Ω, 11 A 500 V, TO-263
- Codice RS:
- 180-8349
- Codice costruttore:
- IRFS11N50APBF
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8349
- Codice costruttore:
- IRFS11N50APBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.52Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 52nC | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.52Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52nC | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-263-3 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 500V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 520mohm a una tensione gate-source di 10V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 170W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Coss effettivo specificato
Capacità completamente caratterizzata, tensione e corrente a valanga •
• componente senza alogeni e piombo (Pb)
• cancello migliorato, effetto valanga e DV/dt dinamico
• la bassa carica di gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
Applications
• commutazione di potenza ad alta velocità
• alimentatore switching (SMPS)
• Alimentatori continui
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