1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.8 Ω, 5.2 A 200 V, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 180-8843
- Codice Distrelec:
- 304-30-843
- Codice costruttore:
- IRF620SPBF
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,508 € | 12,54 € |
| 50 - 120 | 2,28 € | 11,40 € |
| 125 - 245 | 2,132 € | 10,66 € |
| 250 - 495 | 2,006 € | 10,03 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8843
- Codice Distrelec:
- 304-30-843
- Codice costruttore:
- IRF620SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.8Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.8Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il Vishay IRF620S è un MOSFET di potenza a canale N con tensione drain-source (Vds) di 200V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. È dotato di contenitore D2PAK (TO-263). Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,8ohm a 10VGS. Corrente di drain massima 5,2 A.
Per montaggio superficiale
Disponibilità su nastro e bobina
Valore nominale dv/dt dinamico
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