MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.55 Ω, 10 A 400 V, TO-263, 3 Pin IRF740ALPBF

Codice RS:: 180-8642
Codice costruttore:: IRF740ALPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale N, 0.55 Ω, 10 A 400 V, TO-263, 3 Pin IRF740ALPBF

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Codice RS:: 180-8642
Codice costruttore:: IRF740ALPBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	10A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	400V
	Tipo di package	TO-263
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.55Ω
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	36nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Singolo
	Larghezza	10.67mm
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Altezza	4.83mm
	Lunghezza	9.65mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 10A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V
	Tipo di package TO-263
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.55Ω
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Singolo
	Larghezza 10.67mm
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Altezza 4.83mm
	Lunghezza 9.65mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 400 V, corrente di drenaggio continua massima di 10 A - IRF740ALPBF

Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza nell'elettronica industriale. Funziona in ambienti termici impegnativi e si adatta a progetti che richiedono un dispositivo a tre terminali con una robusta gestione della tensione e una capacità di corrente moderata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale di drenaggio di 400 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 10 A per supportare carichi sostenuti
• Rds(on) di 0,55 Ω per perdite di conduzione controllate
• Dissipazione di potenza di 125 W che consente un flusso termico significativo
• Carica gate tipica di 36 nC che riduce i requisiti energetici dell'azionamento
• Tensione massima gate-source di 30 V per la compatibilità standard con l'azionamento gate

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione primaria SMPS offline
• Ideale per circuiti di correzione del fattore di potenza negli alimentatori
• Utilizzato con front-end di controllo motore per azionamenti a bassa velocità
• Può essere utilizzato per la commutazione del ballast per l'illuminazione industriale
• Utile nelle apparecchiature di test e misurazione ad alta tensione

Quale intervallo termico può resistere durante il funzionamento?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ampie condizioni ambientali e di giunzione elevata.

Quale fattore di forma dell'imballaggio utilizza per il montaggio su circuito stampato?

È fornito in un contenitore TO-263, che fornisce una linguetta di alimentazione piatta e tre terminali per il montaggio superficiale.

Ci sono delle norme ambientali o sui materiali ad esse associate?

Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE e segue le specifiche dei materiali IEC 61249-2-21.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate derivano dalla carica del gate?

Con un Qg tipico di 36 nC a Vgs, i driver gate devono fornire una corrente transitoria sufficiente per ottenere la velocità di commutazione richiesta senza eccessivo ritardo.