MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.55 Ω, 10 A 400 V IRF740ALPBF
- Codice RS:
- 180-8304
- Codice costruttore:
- IRF740ALPBF
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8304
- Codice costruttore:
- IRF740ALPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.55Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 9.65mm | |
| Larghezza | 10.67 mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.55Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 9.65mm | ||
Larghezza 10.67 mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
L'IRF740AL di Vishay è un MOSFET di potenza a canale N con tensione di scarico-sorgente (Vds) di 400 V. La tensione di gate-sorgente (VGS) è di 30 V. È dotato di contenitore D2PAK (TO-263) e I2PAK (TO-262). Offre una resistenza di scarico-sorgente (RDS) di 0,55 ohm a 10 VGS. Corrente di scarico massima 10 A.
La bassa carica del gate Qg si traduce in un semplice requisito di azionamento
Migliore robustezza del cancello, valanga e dinamica dV/dt
Capacità completamente caratterizzata e tensione e corrente di valanga
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