MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 400 V, 550 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF740SPBF
- Codice RS:
- 178-0832
- Codice costruttore:
- IRF740SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 50 unità*
85,80 €
(IVA esclusa)
104,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 550 unità in spedizione dal 07 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,716 € | 85,80 € |
| 100 - 200 | 1,459 € | 72,95 € |
| 250 + | 1,373 € | 68,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-0832
- Codice costruttore:
- IRF740SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Serie | IRF740S | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 550mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Serie IRF740S | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 550mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRF740S Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 400 V, corrente di drenaggio continua massima 10 A - IRF740SPBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni a montaggio superficiale in sistemi elettronici industriali. Funziona come un transistor di commutazione in grado di gestire tensioni e correnti consistenti in ambienti difficili, adatto per l'uso nei casi in cui è richiesta una commutazione di potenza compatta e montata su scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 400 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua da 10 A supporta carichi di potenza moderati • La dissipazione di potenza 125 W consente una gestione termica sostenuta • L'Rds(on) di 550 mΩ riduce le perdite di conduzione nei circuiti di potenza da bassa a media • La carica di gate tipica 63nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C è adatta per ambienti ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale • Ideale per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione • Utilizzato per alimentatori ausiliari nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per moduli relè a stato solido e interruttori • Utilizzato con gruppi a montaggio superficiale che richiedono il montaggio TO-263
Quale stile di montaggio richiede su un circuito stampato?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 con tre pin progettati per la saldatura a livello di scheda e la conduzione termica in un'area in rame per circuito stampato.
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?
La tensione da gate a sorgente non deve superare 20 V per evitare lo stress da ossido di gate e potenziali guasti del dispositivo.
Come deve essere affrontata la gestione termica nei progetti?
I progettisti devono utilizzare un'adeguata area di rame o dissipatore di calore sul circuito stampato per dissipare fino a 125 W in condizioni specifiche e mantenere le temperature di giunzione al di sotto del limite di 150 °C.
Quale intervallo di temperatura ambiente può tollerare durante il funzionamento?
Il dispositivo è classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in un'ampia gamma di temperature ambientali.
Quale caratteristica influisce sulle dimensioni dell'unità di commutazione?
La carica di gate tipica di 63 nC determina la corrente di azionamento e i tempi di transizione richiesti dal driver di gate per ottenere la velocità di commutazione desiderata.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 550 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF740SPBF
- MOSFET di potenza Vishay 550 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 1.25 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.25 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IRFS3004TRL7PP
- MOSFET Vishay 400 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 550 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 550 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 400 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHF630STRL-GE3