MOSFET di potenza Vishay, canale N 400 V, 550 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF740SPBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

88,35 €

(IVA esclusa)

107,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 501,767 €88,35 €
100 - 2001,502 €75,10 €
250 +1,414 €70,70 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
178-0832
Codice costruttore:
IRF740SPBF
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRF740S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

550mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRF740S di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 400 V, corrente di drenaggio continua 10 A - IRF740SPBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per applicazioni che richiedono un azionamento gate controllato e una gestione robusta della potenza, pur essendo conforme alle direttive RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 400 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 10 A supporta correnti di carico sostanziali
• La capacità di dissipazione di potenza di 125 W migliora l'ingombro termico
• L'Rds(on) di 550 mΩ bilancia le perdite di conduzione e la semplicità di controllo
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale massimo gate-source di 20 V protegge la progettazione del gate drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Ideale per gli stadi di azionamento di motori e inverter ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC che gestiscono correnti moderate
• Adatto per la gestione dell'alimentazione su schede SMT densamente popolate

Quali temperature estreme può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, coprendo le tipiche gamme commerciali e industriali estese.

In che modo il contenitore influisce sull'assemblaggio a livello di scheda e sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale TO-263 consente il trasferimento termico saldato ai piani in rame del circuito stampato e supporta una dissipazione più elevata in layout SMT compatti.

Quali sono i vincoli del gate drive che i progettisti devono rispettare per evitare danni?


La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V per evitare lo stress da ossido gate e potenziali guasti.

Quante connessioni esterne presenta il dispositivo per l'integrazione del circuito?


Fornisce tre pin compatibili con i collegamenti MOSFET a canale singolo standard per drain, source e gate.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.