MOSFET Vishay, canale N 200 V, 400 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF630STRL-GE3

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Prezzo per 800 unità, in una bobina da 800*

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800 +0,63 €504,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-5995
Codice costruttore:
SIHF630STRL-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF630S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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