MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 400 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHF630STRL-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

13,14 €

(IVA esclusa)

16,03 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,314 €13,14 €
100 - 2401,235 €12,35 €
250 - 4901,117 €11,17 €
500 - 9901,052 €10,52 €
1000 +0,985 €9,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
815-2623
Codice costruttore:
SIHF630STRL-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

SiHF630S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

2V

Dissipazione di potenza massima Pd

74W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati