MOSFET di potenza Vishay, canale N 400 V, 550 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF740SPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
542-9406
Codice Distrelec:
171-15-868
Codice costruttore:
IRF740SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

400V

Serie

IRF740S

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

550mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRF740S di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 400 V, corrente di drenaggio continua 10 A - IRF740SPBF


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per applicazioni che richiedono un azionamento gate controllato e una gestione robusta della potenza, pur essendo conforme alle direttive RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 400 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 10 A supporta correnti di carico sostanziali
• La capacità di dissipazione di potenza di 125 W migliora l'ingombro termico
• L'Rds(on) di 550 mΩ bilancia le perdite di conduzione e la semplicità di controllo
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale massimo gate-source di 20 V protegge la progettazione del gate drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Ideale per gli stadi di azionamento di motori e inverter ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC che gestiscono correnti moderate
• Adatto per la gestione dell'alimentazione su schede SMT densamente popolate

Quali temperature estreme può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, coprendo le tipiche gamme commerciali e industriali estese.

In che modo il contenitore influisce sull'assemblaggio a livello di scheda e sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale TO-263 consente il trasferimento termico saldato ai piani in rame del circuito stampato e supporta una dissipazione più elevata in layout SMT compatti.

Quali sono i vincoli del gate drive che i progettisti devono rispettare per evitare danni?


La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V per evitare lo stress da ossido gate e potenziali guasti.

Quante connessioni esterne presenta il dispositivo per l'integrazione del circuito?


Fornisce tre pin compatibili con i collegamenti MOSFET a canale singolo standard per drain, source e gate.

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