1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.8 Ω, 5.2 A 200 V, TO-263, Superficie IRF620SPBF

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Codice RS:
180-8301
Codice costruttore:
IRF620SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.8Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Standard/Approvazioni

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il Vishay IRF620S è un MOSFET di potenza a canale N con tensione drain-source (Vds) di 200V. La tensione gate-source (VGS) è 20V. È dotato di contenitore D2PAK (TO-263). Offre resistenza da drain a source (RDS.) 0,8ohm a 10VGS. Corrente di drain massima 5,2 A.

Per montaggio superficiale

Disponibilità su nastro e bobina

Valore nominale dv/dt dinamico

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