1 MOSFET di potenza Vishay Singolo, canale Tipo N, 0.8 Ω, 5.2 A 200 V, TO-263, Superficie, 3 Pin IRF620SPBF
- Codice RS:
- 180-8301
- Codice costruttore:
- IRF620SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 50 unità*
62,40 €
(IVA esclusa)
76,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 700 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,248 € | 62,40 € |
| 250 - 450 | 1,173 € | 58,65 € |
| 500 - 1200 | 1,061 € | 53,05 € |
| 1250 - 2450 | 0,998 € | 49,90 € |
| 2500 + | 0,936 € | 46,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8301
- Codice costruttore:
- IRF620SPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | IRF620S | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.8Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie IRF620S | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.8Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie IRF620S Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 200 V, corrente di drenaggio continua massima 5,2 A - IRF620SPBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e gestione dell'alimentazione in sistemi elettronici e industriali. È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 per il montaggio a livello di scheda ed è adatto per le applicazioni che richiedono una gestione della corrente moderata e un funzionamento a temperature elevate.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 200 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 5,2 A supporta correnti di carico moderate • L'Rds(on) di 0,8 Ω offre perdite di conduzione prevedibili per il budget termico • La carica di gate tipica di 14 nC consente una velocità di commutazione e un design dell'azionamento ragionevoli • La dissipazione di potenza di 50 W aiuta la pianificazione termica per le fasi di potenza • L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C tollera ambienti ad ampia temperatura
Applicazioni
• Adatto per alimentatori di commutazione in apparecchiature industriali • Ideale per le fasi di gate con azionamento a motore con esigenze di corrente moderate • Utilizzato per convertitori c. c. - c. c. nei sistemi di automazione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di controllo elettrici
Quali considerazioni di montaggio si applicano alla gestione del calore?
Il contenitore SMD TO-263 richiede un tampone in rame di dimensioni adeguate e vie termiche per diffondere la potenza dissipata e mantenere la temperatura di giunzione entro i limiti.
Per quale intervallo di tensione dell'azionamento del gate devo progettare?
La tensione di sorgente gate deve essere mantenuta entro ±20 V, pertanto i circuiti di azionamento devono limitare l'ampiezza gate applicata di conseguenza.
In che modo la robustezza del dispositivo influisce sull'affidabilità a temperature elevate?
La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente l'uso in ambienti caldi, ma la dissipazione continua vicino al limite di 50 W richiede un efficace design termico del circuito stampato per evitare sovratensioni termiche.
Esistono standard ambientali rilevanti per l'approvvigionamento?
Il componente è conforme ai requisiti RoHS e segue le specifiche dei materiali pertinenti per i processi di assemblaggio del circuito stampato.
Link consigliati
- 1 MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.8 Ω TO-263 3 Pin IRF620SPBF
- MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.8 Ω JEDEC TO-220AB IRL620PBF
- MOSFET di potenza Vishay 0.8 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 800 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie SIHF620S-GE3
- MOSFET di potenza Vishay Singolo 0.52 Ω TO-263 IRFS11N50APBF
- MOSFET singoli Infineon 5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB175N20NM6ATMA1
- MOSFET STMicroelectronics 1.8 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie