1 MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N, 0.05 Ω, 30 A 60 V, JEDEC TO-220AB, 3 Pin
- Codice RS:
- 180-8733
- Codice costruttore:
- IRLZ34PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-8733
- Codice costruttore:
- IRLZ34PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.05Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 14.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS 2002/95/EC | |
| Altezza | 6.48mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.05Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 14.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS 2002/95/EC | ||
Altezza 6.48mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-220AB-3 a canale N di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 10V. Ha una resistenza drain-source di 50mohm a una tensione gate-source di 5V. Il MOSFET ha una dissipazione di potenza massima di 88W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• valore nominale DV/dt dinamico
• facilità di collegamento in parallelo
Commutazione rapida •
• componente senza piombo (Pb)
• Stadio pilota livello logico
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
• requisiti di azionamento semplici
Applications
• Caricabatterie
• Inverter
• Alimentatori
Alimentatore switching (SMPS) •
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