MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 700 mΩ Miglioramento, 1 A, 3 Pin, X2-DFN, Superficie

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Codice RS:
182-6891
Codice costruttore:
DMN2450UFB4-7R
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

X2-DFN

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

900mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.3nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.35mm

Larghezza

0.65 mm

Lunghezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Ingombro di solo 0,6 mm2

- Tredici volte più piccolo del SOT23

Profilo di 0,4mm - ideale per applicazioni di basso profilo

Bassa tensione di soglia del gate

Elevata velocità di commutazione

Gate con protezione ESD

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico.

Applicazioni

Interruttore di carico

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