MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 54 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, X2-DFN, Superficie
- Codice RS:
- 222-2853
- Codice costruttore:
- DMP2069UFY4Q-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
414,00 €
(IVA esclusa)
504,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,138 € | 414,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2853
- Codice costruttore:
- DMP2069UFY4Q-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | X2-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 54mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.53W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.58mm | |
| Altezza | 0.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package X2-DFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.53W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.58mm | ||
Altezza 0.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
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