MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 54 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, X2-DFN, Superficie DMP2069UFY4Q-7
- Codice RS:
- 222-2854
- Codice costruttore:
- DMP2069UFY4Q-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
10,15 €
(IVA esclusa)
12,375 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2975 unità in spedizione dal 07 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,406 € | 10,15 € |
| 50 - 75 | 0,398 € | 9,95 € |
| 100 - 225 | 0,282 € | 7,05 € |
| 250 + | 0,277 € | 6,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2854
- Codice costruttore:
- DMP2069UFY4Q-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | X2-DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 54mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.53W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.4mm | |
| Lunghezza | 1.58mm | |
| Larghezza | 2.08 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package X2-DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.53W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.4mm | ||
Lunghezza 1.58mm | ||
Larghezza 2.08 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 54 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 1.9 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 160 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie DMP32D9UFO-7B
- MOSFET DiodesZetex 160 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie DMP2045UFY4-7
- MOSFET DiodesZetex 1.9 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie DMP22D5UFO-7B
- MOSFET DiodesZetex 1.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
