MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 30 mΩ Miglioramento, 8.7 A, 6 Pin, UDFN, Superficie DMP1009UFDF-7
- Codice RS:
- 182-7286
- Codice costruttore:
- DMP1009UFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,334 € | 16,70 € |
| 250 - 450 | 0,267 € | 13,35 € |
| 500 - 950 | 0,242 € | 12,10 € |
| 1000 - 1950 | 0,215 € | 10,75 € |
| 2000 + | 0,202 € | 10,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-7286
- Codice costruttore:
- DMP1009UFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 44nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.05 mm | |
| Altezza | 0.58mm | |
| Lunghezza | 2.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package UDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 44nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.05 mm | ||
Altezza 0.58mm | ||
Lunghezza 2.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Profilo di 0,6 mm - ideale per applicazioni di basso profilo
Ingombro del circuito stampato di 4mm2
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
Applicazioni
Applicazione di gestione della batteria
Funzioni di gestione dell'alimentazione
Convertitori cc-cc
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