MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 12 V, 30 mΩ Miglioramento, 8.7 A, 6 Pin, UDFN, Superficie DMP1009UFDF-7
- Codice RS:
- 182-7286
- Codice costruttore:
- DMP1009UFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,267 € | 13,35 € |
| 250 - 450 | 0,214 € | 10,70 € |
| 500 - 950 | 0,194 € | 9,70 € |
| 1000 - 1950 | 0,172 € | 8,60 € |
| 2000 + | 0,162 € | 8,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-7286
- Codice costruttore:
- DMP1009UFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 12V | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.05mm | |
| Altezza | 0.58mm | |
| Larghezza | 2.05 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 12V | ||
Tipo di package UDFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.05mm | ||
Altezza 0.58mm | ||
Larghezza 2.05 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Profilo di 0,6 mm - ideale per applicazioni di basso profilo
Ingombro del circuito stampato di 4mm2
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata velocità di commutazione
Applicazioni
Applicazione di gestione della batteria
Funzioni di gestione dell'alimentazione
Convertitori cc-cc
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