MOSFET ROHM, canale N, 160 mΩ, 2,5 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:
183-5146
Codice costruttore:
RUF025N02TL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2,5 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-323

Serie

RUF025N02

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

160 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.3V

Tensione di soglia gate minima

0.3V

Dissipazione di potenza massima

800 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±10 V

Carica gate tipica @ Vgs

5 nC a 4,5 V

Massima temperatura operativa

150 °C

Lunghezza

2.1mm

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.8mm

Altezza

0.82mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

Paese di origine:
JP
I transistor MOSFET di potenza sono realizzati come dispositivi a bassa resistenza in stato attivo tramite tecnologie di miniaturizzazione utili per una vasta gamma di applicazioni. Ampia gamma di prodotti che copre tipi compatti, ad alta potenza e complessi, per soddisfare svariati requisiti del mercato.

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