MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 16 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 188-4918
- Codice costruttore:
- SQJA42EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 188-4918
- Codice costruttore:
- SQJA42EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | SQJA42EP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 27W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.01mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4.47 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie SQJA42EP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 27W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.01mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4.47 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET 40 V (D-S) a 175 °C a canale N. automotive.
MOSFET di potenza TrenchFET®
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