MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.0039 Ω Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD50034E_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5081
Codice costruttore:
SQD50034E_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0039Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.41mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET 40 V (D-S) a 175 °C a canale N. automotive

MOSFET di potenza TrenchFET®

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