MOSFET onsemi, canale N, 910 μΩ, 376 A., Power 88, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0331
Codice costruttore:: NTMTS001N06CTXG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 910 μΩ, 376 A., Power 88, Montaggio superficiale

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2 - 18	4,535 €	9,07 €
20 - 198	3,91 €	7,82 €
200 - 998	3,385 €	6,77 €
1000 - 1998	2,98 €	5,96 €
2000 +	2,71 €	5,42 €

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Codice RS:: 189-0331
Codice costruttore:: NTMTS001N06CTXG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMTS001N06CTXG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	376 A.
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	Power 88
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	910 μΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	244 W.
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Larghezza	8mm
Lunghezza	8.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	113 nC @ 10 V.
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.15mm

MOSFET onsemi, canale N, 910 μΩ, 376 A., Power 88, Montaggio superficiale

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