MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 910 μΩ Miglioramento, 376 A, 8 Pin, PQFN, Superficie NTMTS001N06CTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0331
Codice costruttore:
NTMTS001N06CTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

376A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PQFN

Serie

NTMTS001N06C

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

910μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

244W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

113nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8mm

Altezza

1.15mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Ingombro ridotto (8x8 mm) per design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR

Applicazioni tipiche

Utensili Elettrici, Aspiratori A Batteria

Uav/Droni, Movimentazione Materiali

Bms/Storage, Automazione Domestica

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