MOSFET onsemi, canale N, 910 μΩ, 376 A., Power 88, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0261
Codice costruttore:: NTMTS001N06CTXG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 910 μΩ, 376 A., Power 88, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

2,143 €

(IVA esclusa)

2,614 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	2,143 €	6.429,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 189-0261
Codice costruttore:: NTMTS001N06CTXG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMTS001N06CTXG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	376 A.
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	Power 88
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	910 μΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	240 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Larghezza	8mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	8.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	113 nC @ 10 V.
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.15mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 910 μΩ, 376 A., Power 88, Montaggio superficiale

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