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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Wolfspeed
	Tipo di canale	N
	Corrente massima continuativa di drain	63 A
	Tensione massima drain source	900 V
	Tipo di package	TO-247-4
	Tipo di montaggio	Su foro
	Numero pin	4
	Resistenza massima drain source	30 mΩ
	Modalità del canale	Enhancement
	Tensione di soglia gate massima	3.5V
	Tensione di soglia gate minima	1.7V
	Dissipazione di potenza massima	149 W.
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima gate source	-8 V, 19 V.
	Numero di elementi per chip	1
	Lunghezza	16.13mm
	Massima temperatura operativa	+150 °C
	Carica gate tipica @ Vgs	87 nC @ 4/15V
	Larghezza	5.21mm
	Materiale del transistor	SiC
	Altezza	23.6mm
	Minima temperatura operativa	-55 °C

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	Marchio Wolfspeed
	Tipo di canale N
	Corrente massima continuativa di drain 63 A
	Tensione massima drain source 900 V
	Tipo di package TO-247-4
	Tipo di montaggio Su foro
	Numero pin 4
	Resistenza massima drain source 30 mΩ
	Modalità del canale Enhancement
	Tensione di soglia gate massima 3.5V
	Tensione di soglia gate minima 1.7V
	Dissipazione di potenza massima 149 W.
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima gate source -8 V, 19 V.
	Numero di elementi per chip 1
	Lunghezza 16.13mm
	Massima temperatura operativa +150 °C
	Carica gate tipica @ Vgs 87 nC @ 4/15V
	Larghezza 5.21mm
	Materiale del transistor SiC
	Altezza 23.6mm
	Minima temperatura operativa -55 °C

Paese di origine:: CN

Minimo di 900V Vbr per l'intera gamma di temperature di esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
>8mm di dispersione/gioco tra scarico e sorgente
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa RDS (on)
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso (Qrr)
Facili da azionare in parallelo o in modalità semplice

MOSFET Wolfspeed, canale N, 30 mΩ, 63 A, TO-247-4, Su foro

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