Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 280 mΩ, 13 A, TO-220FP, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-5002
Codice costruttore:
STF18N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

13 A

Tipo di package

TO-220FP

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

280 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.75V

Tensione di soglia gate minima

3.25V

Dissipazione di potenza massima

25 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±25 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Carica gate tipica @ Vgs

16,8 nC a 10 V

Altezza

16.4mm

Tensione diretta del diodo

1.6V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN
La nuova tecnologia MDmesh™ M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso del gate

Protezione Zener

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