MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.036 Ω 650 V, 68 A Depletion, TO-247, Foro passante, 3 Pin STW70N65DM6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5547
Codice costruttore:
STW70N65DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

ST

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.036Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

450W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

125nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

41.2mm

Lunghezza

15.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.1 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato.

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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