MOSFET onsemi, canale Tipo N 25 V, 0.68 mΩ Miglioramento, 365 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMFS0D8N02P1ET1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5710
Codice costruttore:
NTMFS0D8N02P1ET1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

365A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

NTMFS

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.68mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Altezza

6.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è dotato di 365 Ampere e 25 V. Può essere utilizzato in interruttore di distribuzione di carico, gestione della batteria per notebook, convertitore c.c./c.c.

Bassa resistenza da drain a source ON

Ingombro ridotto

Bassa capacitanza

Senza piombo

Conformità RoHS

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