MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 4.5 Ω Miglioramento, 220 mA, 3 Pin, xDFN3, Superficie NTNS0K8N021ZTCG
- Codice RS:
- 202-5714
- Codice costruttore:
- NTNS0K8N021ZTCG
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 100 unità*
37,00 €
(IVA esclusa)
45,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 7700 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,37 € | 37,00 € |
| 500 + | 0,319 € | 31,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5714
- Codice costruttore:
- NTNS0K8N021ZTCG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 220mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | NTN | |
| Tipo di package | xDFN3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±8 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 0.21mm | |
| Larghezza | 0.43 mm | |
| Altezza | 0.72mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 220mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie NTN | ||
Tipo di package xDFN3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±8 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 0.21mm | ||
Larghezza 0.43 mm | ||
Altezza 0.72mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è dotato di 220 milliampere e 80 V. Può essere utilizzato in interruttori di distribuzione di carico a piccolo segnale, interfaccia ad alta velocità, applicazioni di commutazione di livello.
Senza piombo
Conformità RoHS
Senza alogeni
Contenitore a profilo basso di dimensioni estremamente ridotte
Link consigliati
- MOSFET onsemi 4.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET onsemi 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET onsemi 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante FDPF4D5N10C
- MOSFET onsemi 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante FDP4D5N10C
- MOSFET onsemi 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante FDPF045N10A
- MOSFET STMicroelectronics 4.5 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET STMicroelectronics 4.5 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante
