MOSFET onsemi, canale N 20 V, 4.5 Ω Miglioramento, 220 mA, 3 Pin, xDFN3, Superficie

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Codice RS:
202-5713
Codice costruttore:
NTNS0K8N021ZTCG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

220mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

NTN

Tipo di package

xDFN3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

720μm

Lunghezza

210μm

Larghezza

430μm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è dotato di 220 milliampere e 80 V. Può essere utilizzato in interruttori di distribuzione di carico a piccolo segnale, interfaccia ad alta velocità, applicazioni di commutazione di livello.

Senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

Contenitore a profilo basso di dimensioni estremamente ridotte

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