1 MOSFET onsemi Doppio N, canale N, 9 Ω, 38 A 60 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3090,00 €

(IVA esclusa)

3780,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,03 €3.090,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
202-5719
Codice costruttore:
NTTFD9D0N06HLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

WQFN

Serie

NTTF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Tensione diretta Vf

790mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Doppio N

Altezza

750μm

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.

Contenitore a bassa induttanza

Minori perdite di commutazione

Conformità RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.