1 MOSFET onsemi Doppio N, canale Tipo N, 9 Ω, 38 A 60 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
202-5719
Codice costruttore:
NTTFD9D0N06HLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

WQFN

Serie

NTTF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Tensione diretta Vf

0.79V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Doppio N

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.75mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.

Contenitore a bassa induttanza

Minori perdite di commutazione

Conformità RoHS

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