1 MOSFET onsemi Doppio N, canale Tipo N, 9 Ω, 38 A 60 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin

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Codice RS:
202-5719
Codice costruttore:
NTTFD9D0N06HLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTTF

Tipo di package

WQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.79V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Configurazione transistor

Doppio N

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.

Contenitore a bassa induttanza

Minori perdite di commutazione

Conformità RoHS

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