1 MOSFET onsemi Doppio N, canale Tipo N, 9 Ω, 38 A 60 V, WQFN, Superficie Miglioramento, 12 Pin NTTFD9D0N06HLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5721
Codice costruttore:
NTTFD9D0N06HLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTTF

Tipo di package

WQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.79V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Doppio N

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.3 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire un facile posizionamento e instradamento di convertitori buck sincroni. Viene utilizzato in applicazioni di elaborazione, comunicazione e punto di carico per impieghi generali.

Contenitore a bassa induttanza

Minori perdite di commutazione

Conformità RoHS

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