Modulo di potenza SiC STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.072 Ω 650 V, 45 A Miglioramento, Hip-247, Foro passante, 3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-3959
Codice costruttore:
SCTWA35N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Modulo di potenza SiC

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.072Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Tensione diretta Vf

3.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Altezza

41.2mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

5.1 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione sia della resistenza all'accensione che delle perdite di commutazione è pressoché indipendente dalla temperatura di giunzione.

Bassa capacitanza

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Variazione molto stretta della resistenza in stato attivo rispetto a. Temperatura

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