MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 25 V, 1.25 Ω Miglioramento, 5.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie STN6N60M2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-9959
Codice costruttore:
STN6N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOT-223

Serie

STN6N60M2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.8mm

Larghezza

6.48 mm

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il dispositivo STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie al suo layout di striscia e a una struttura verticale migliorata, il dispositivo presenta una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi.

Carica di gate estremamente bassa

Eccellente profilo di capacità di uscita (Coss)

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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