MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223 STN4NF20L

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1016,00 €

(IVA esclusa)

1240,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,254 €1.016,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
151-424
Codice costruttore:
STN4NF20L
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

STN

Tipo di package

SOT-223

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La serie Power MOSFET di STMicroelectronics è stata sviluppata utilizzando il processo STripFET, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. Ciò rende il dispositivo adatto per l'uso come interruttore primario in convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati.

Eccezionale capacità dv/dt

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica del gate

Link consigliati