Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale N 25 V, 1.25 Ω Miglioramento, 5.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 204-9958
Codice costruttore:: STN6N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N 25 V, 1.25 Ω Miglioramento, 5.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1072,00 €

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1308,00 €

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4000 +	0,268 €	1.072,00 €

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Codice RS:: 204-9958
Codice costruttore:: STN6N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	5.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	25V
	Serie	STN6N60M2
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.25Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Tensione diretta Vf	1.6V
	Dissipazione di potenza massima Pd	6W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.8mm
	Larghezza	6.48mm
	Lunghezza	6.8mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 5.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V
	Serie STN6N60M2
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.25Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Tensione diretta Vf 1.6V
	Dissipazione di potenza massima Pd 6W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.8mm
	Larghezza 6.48mm
	Lunghezza 6.8mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - STN6N60M2

Paese di origine:: CN

Il dispositivo STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie al suo layout di striscia e a una struttura verticale migliorata, il dispositivo presenta una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi.

Carica di gate estremamente bassa

Eccellente profilo di capacità di uscita (Coss)

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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