MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 25 V, 1.25 Ω Miglioramento, 5.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

1068,00 €

(IVA esclusa)

1304,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,267 €1.068,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
204-9958
Codice costruttore:
STN6N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

STN6N60M2

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.48 mm

Lunghezza

6.8mm

Altezza

1.8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il dispositivo STMicroelectronics è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh M2. Grazie al suo layout di striscia e a una struttura verticale migliorata, il dispositivo presenta una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi.

Carica di gate estremamente bassa

Eccellente profilo di capacità di uscita (Coss)

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

Link consigliati